《高效大功率LED外延及芯片技术研讨会论文集》
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上传人：admin 上传时间： 2007-02-08 浏览次数： 196 |
本研讨会就外延及芯片技术的有关问题与国外知名企业的专家进行了直接对话，通过会议论文集可以深入了解世界先进工艺、技术进展，促进国内企业、研究机构的技术提升，从而推动我国有国际竞争力的半导体照明产业快速、健康地发展。
《超高亮度 LED 研发因果及现对的挑战与机会》
余建国
《 企业型 MOCVD 设备 - 大规模生产的创新解决方案 》
美国维易科（ Veeco ）精密仪器有限公司 李学敏
《 对于照明用 LED 成本的思考 》
奥源光电 梁秉文
《 MOCVD 工艺温度的测量与控制 》
美国维易科（ Veeco ）精密仪器有限公司 李学敏
《 使用原子力显微镜优化外延材料生长质量 》
美国维易科（ Veeco ）精密仪器有限公司 李学敏
《 国产 MOCVD 设备的特点、性能和发展趋势 》
中国科学院半导体研究所 刘祥林
《 InGaN 芯片外延过程中几个关键点研讨》
余建国
《 ICP 技术在 LED 领域的应用 》
Oxford 公司 李荣光
《大功率 LED 的特殊问题》
余建国
《 薄膜与表面分析技术在高效大功率 LED 生长和工艺控制中的应用 》
应用微分析公司 高玉民
《 Bede 高分辨 X 射线衍射解决方案及在半导体材料领域的应用 》
Bede 公司 邵荣荣
《 LED 测量基本光度色度学原理和最新国际动态 》
远方 Everfine 公司 潘建根
《用图像数字化技术测试 LED 》
天津大学建筑学院 沈天行
来源：www.lightbook.net
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