小型荧光灯用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40
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上传人：admin 上传时间： 2007-02-08 浏览次数： 86 |
1 主要特点
随着全球节能技术的提高，小型荧光灯市场的发展非常迅猛。在众多的低成本解决方案中，用户通常选用简单的自振荡电路，
而这些电路一般都采用STBV或BUL系列等功率双极型器件。
而这些电路一般都采用STBV或BUL系列等功率双极型器件。在采用如L6569型驱动器的应用，选用MOSFET是一个十分有效的解决方案。为此，ST公司专门推出了用于小型荧光灯的400V功率MOSFET STS1DNC40和STQ1NC40，这两种器件与传统器件相比，具有高效、低成本的优点，同时不影响产品的性能或使用寿命。另外，由于NC系列硅效率的提高和NC系列（PwerMESH）上RDS（on）*面积的减小，这两款器件的功耗也有明显的降低。
STS1DN40和STQ1NC40是全新的小型荧光灯400V功率MOSFET。其中STS1DN40采用表面安装双岛版SO-8封装，而STQ1NC40则采用TO-92封装。这两种器件集NC系列400V器件的性能和小型装所特有的灵活性于一身，因而具有成本低、可节省电路板空间（采用STS1DNC40可节省一个封装）以及可钳位尺寸等特点。
2 主要电气参数
STS1DNC40的典型RDS（on）为4.7Ω，可采用低门限门极驱动，由于采用SO-98的标准外形封装，因此十分方便于自动化表面安装。而STQ1NC40的典型RDS（on）也为4.7Ω,并具有极高的db/dt能力，可进行100%的雪崩测试。它采用新高压基准，并采用门极电荷 最小化的TO-92封装形式。STS1DNC40和STQ1NC40的主要电气参数如表1所列。
表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要电气参数
表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要电气参数
| P/N | 电源（V） | 封装 | RDS（ON）（Ω）最大值 | BVDSS（V） | 总功耗Tc=25℃ |
| STS1DNC40 | 220 | SO-8 | 5.5 | 400 | <2W |
| STQ1NC40 | 220 | TO-92 | 5.5 | 400 | <3.5W |
表2 220V小型荧光灯用标准功率MOSFET的主要参数
| P/N | 电源（V） | 封装 | RDS（ON）（Ω）最大值 | BVDSS（V） | 典型CFL功率范围（W） | 技术 |
| STD1NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 9 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
| STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 6 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
| STD3NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 2.7 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
| STD4NB50/-1 | 220 | DPAK/INAK | 1.5 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
| STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 5.5 | 400 | 7-23 | PowerMESHII |
3 应用电路
图1是采用STQ1NC40设计的小型荧光灯电路原理图，可以看出，采用这种新型元器件设计的电路可极大的提高电路的灵活性和降低电路成本。表2给出了ST公司其它的220V小型荧光灯用功率MOSFET的主要参数。
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