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项目名称： 4英寸氮化镓自支撑衬底

Free-standing GaN Substrates（4 inch）

申报单位： 东莞市中镓半导体科技有限公司

综合介绍或申报理由：

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

主要技术参数：

如附图所示

经济评价分析：

制备本产品的设备也由本公司自主研发制备，并研发了世界领先高生产效率的多片机，这为我们的产品（氮化镓自支撑衬底）大大降低了生产成本，与世界同类产品相比具有较大的价格优势。

技术及工艺创新要点：

1、从工艺上来看，针对GaN 单晶材料高化学稳定性及易脆裂的特点，探索可行的GaN 单晶衬底材料高效抛光技术方案，以及磨抛产生的微观缺陷抑制与优化是实现氮化镓衬底产业化与高性能氮化镓基器件的关键科学问题；

2、高质量的GaN单晶衬底的获得，将使GaN基电子功率器件的性能获得突破性的发展，实现高频高效率高功率，满足现代电子体积更小速度更快的需求。

实际运用案例和用户评价意见：

产品应用图片

获奖、专利情况：

发明专利

申报单位介绍：

东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年，注册资本13000万元，总部位于广东省东莞市，拥有17000多平方米的厂房和办公区，是国内领先的专业从事第三代半导体材料研发和制造的高新技术企业。中镓公司创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，开发出系列氮化镓（GaN）衬底产品。公司主营产品有：（1）GaN基衬底材料，包括自支撑GaN衬底，GaN/Al2O3复合衬底等；（2）生产上述产品的设备，包括激光剥离设备、HVPE设备等。

产品图片：