2014年5月苹果收购了创业公司LuxVue Technology，该公司的Micro LED显示技术未来有望应用于iWatch、Google Glass、微投影仪等微显示器件领域;

　　Micro LED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED显示屏，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，相比于现有的微显示技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等，由于Micro LED自发光，光学系统简单，可以减少整体系统的体积、重量、成本，同时兼顾低功耗、快速反应等特性，2013年台湾工研院基于主动式LED微晶粒晶片技术，开发出单色微显示及微投影模组，主力应用瞄准如Google Glass等头戴式显示器;

　　单色Micro LED阵列已经实现极高的DPI，2011年德州科技大学的团队发布了9.6mm×7.2mm面积的绿光主动定址Micro LED阵列，像素间距15微米，实现了VGA解析度，远高于目前的手机显示屏;

　　全彩化、良率、发光波长一致性是目前主要的问题：单色Micro LED阵列通过倒装结构封装和驱动IC贴合就能够实现，而RGB阵列需要分次转贴红、蓝、绿三色的晶粒，需要嵌入几十万颗LED 晶粒，对于LED晶粒光效、波长的一致性、良率要求更高，同时分bin的成本支出也是阻碍量产的技术瓶颈;

　　Micro LED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED显示屏，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级;

图：Micro LED显示结构

　　1998年德国亚琛工业大学研究团队采用湿法腐蚀方法在AlGaInP LED外延片上成功制作多个LED之后，开启了国际上对Micro LED阵列的研究，Micro LED作为主动发光器件，突出的优点在于分辨潜力大、高亮度对比、低成本，利用半导体加工技术，可以将Micro LED阵列像素尺寸控制在微米量级，可以应用于微显示器件和数据传输通信光源;

　　2009年香港大学研究小组制作了一种集成光纤的微型LED 阵列，在GaN LED外延片上设计了像素点直径20微米，像素间距120微米的阵列;

　　2010年英国帝国大学研究小组将LED阵列应用于神经网络模拟刺激试验，利用GaN LED外延制作了像素直径20微米，像素间距50微米的64×64 LED阵列;

图：64×64 LED神经网络阵列(来源：公开资料)