英国谢菲尔德大学研究学者发表了其在Micro LED领域的最新研究成果，开创出新的绿光InGaN Micro LED制造方法，能够实现高亮度及高密度的Micro LED阵列。
当前的绿光InGaN Micro LEDs多是通过结合标准化的光刻技术以及相应的干蚀刻，破坏LED表面所制造而成。而在此最新制程中，InGaN则是直接长在已经设定好的微小化图案阵列中，以极薄的SiO2层作为晶圆片上的GaN模板。
学者采用有机金属化学气相沉积法来制造生长于单一微型洞孔里的Micro LED。这些微型洞孔让每个Micro LED能够自然产生表面钝化，简化制造过程。所有阵列中的Micro LED都共享一个N极接触面，而所有的P极接触面则都是开放的，能分别连接或在大面积上连接。
该研究团队制造出数以千计，尺寸只有3.6μm的Micro LED在0.1平方毫米的表面上，而单一3.6μm的Micro LED能够以超低的0.3μA电流点亮。使用这种Micro LED完成的640×480像素显示器，则只需要0.23W电源即可运作。
