21日，国星光电发布公告，“投资美国RaySent科技公司”事项已取得广东省商务厅核准并予以颁发《企业境外投资证书》，其余境外投资的核准及报备文件，由公司董事会授权专人负责办理后续具体事宜。
2016年12月13日，公司与美国RaySent科技公司(RaySent Technologies, Inc.)(以下称“RaySent科技”)签署增资协议，公司 以自有资金1,100万美元增资RaySent科技，投资完成后，RaySent科技成为公司的控股子公司。
2016年，拥有硅衬底大功率LED芯片及相关专有技术的主要核心团队成员在美国成立RaySent科技，其所具有的知识产权及专有技术涵盖了外延生长、芯片制造、封装等LED生产过程的全部环节。
通过本次合作，RaySent科技将独有的硅衬底GaN外延技术及垂直结构LED及其衍生结构的知识产权授权给公司及子公司，并通过公司及子公司实现产业化生产。上述技术合作顺利实施后，RaySent科技将独立开拓市场，同时继续致力于开发其他基于硅衬底的第三代半导体相关技术与产品。
国星光电表示，公司致力成为全面发展的LED企业，本次合作是公司加快国际化进程及推进全球化战略实施的重要一步，也是落实创新战略的重要部署，有助于公司提升上游技术实力，促进公司上中下游产业链均衡做大做强做优，形成优势竞争格局;另一方面，随着RaySent科技的发展，公司可展望实现较好投资盈利预期，增强业务扩张能力，提升公司的产业地位、综合实力及新领域开拓能力。
