中美晶旗下矽晶圆厂环球晶4月1日表示，4月13至16日将于“LED TAIWAN 2016”会中发表宽能隙半导体元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(Si)、氮化镓(GaN)及碳化矽(SiC)产品。
环球晶并指出，矽产品将展出3寸至12寸晶圆，包括磊晶片、退火片、抛光片及SOI;氮化镓产品将展出6寸及8寸Crack Free GaN/Si;以及碳化矽产品将展出晶球及双抛晶片。
环球晶表示，目前在矽晶圆产品可因应客户端产品应用之不同，提供具有超平坦、超高或超低阻值等各式需求产品，进而开发适合氮化镓使用之强化矽基板;新基材的研发产品可大幅改善因应力引起之破裂翘曲等问题，有助於後制程使用者提昇良率，同时其高稳定性可让使用者感受到制程可调动范围变宽，以利加速产品开发。
