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晶科电子喜获两项国家发明专利授权

2013-10-17 作者: 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 近日,晶科电子两项发明专利《一种具有集成电路的发光器件及其制造方法》和《一种发光二极管器件及其制造方法》成功获得国家知识产权局授权。

  近日,晶科电子两项发明专利《一种具有集成电路的发光器件及其制造方法》和《一种发光二极管器件及其制造方法》成功获得国家知识产权局授权。

  《一种具有集成电路的发光器件及其制造方法》,专利号:201010581643.1,该发明涉及一种具有集成电路的发光器件,包括LED芯片和衬底。该LED芯片具有P电极和N电极。该衬底上设置有集成电路、第一金属电极、第二金属电极层和电极层连接部。该集成电路设置在该衬底的下表面,该第一金属电极层覆盖在该衬底的上表面,该第二金属电极层覆盖在该衬底的下表面并与集成电路连接,该电极层连接部贯穿该衬底上表面和下表面连接该第一电极层和第二电极层。该LED芯片倒装在该衬底上,LED芯片的P电极和N电极分别与该衬底上的第一金属电极层连接。本发明的具有集成电路的发光器件可避免光电寄生效应,具有较高稳定性。

  《一种发光二极管器件及其制造方法》,专利号:201110076468.5。一种发光二极管器件,包括至少一LED芯片和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极,在N极和P极的表面覆盖一电极层,其中,该N极和P极表面的电极层的厚度相同。该电路板的上表面覆盖一绝缘层,该绝缘层的上表面覆盖一导电层,在该导电层对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置有一金属层,该金属层的厚度为LED芯片的N极与P极之间的高度差。该LED芯片倒装设置在该电路板的上表面,其中,该LED芯片的P极通过电极层与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属层与导电层连接。相对于现有技术,本发明的发光器件中的电路板上对应该LED芯片的N极的区域上表面设置一金属层,简化了LED芯片的设计及制作工艺,进一步提高了LED芯片的性能。

  两项发明对于优化芯片和封装制作工艺具有重要意义,其应用成果易系列基于倒装焊接技术的无金线封装产品近两年在市场上得到广泛应用,其中采用易星(3535)产品的高速公路LED隧道照明项目获全球照明工程展示100佳殊荣。截止至目前,晶科电子正在申请及已获授权专利共有77项。

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