6月10日，在广州举行的2013年新世纪LED峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展。

晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士

　　孙钱博士介绍，Haitz定律追求的是高性价比LED。市场需要的是一条追随和突破Haitz定律的技术路线，它要有更大的衬底晶圆、更低的芯片工艺成本、更高的光效、更高的工作电流密度以及单位芯片面积更高的出光功率。硅衬底LED技术或将是最理想的选择。

　　继2012年6月12日发布硅衬底大功率LED芯片量产以来，在孙钱博士带领的团队的的努力下，晶能光电取得了大步的“芯”跳跃，硅衬底大功率LED外延生产水平可达到同炉外延片波长总体在7-8nm，炉与炉之间波长重复性稳定在±2nm,同时片内波长STD约1.3nm且翘曲度小。外延水平的提升的同时，硅衬底大功率LED芯片性能得到了飞速提升。目前，45mil芯片量产水平裸芯光强500mW，平均电压2.9-3V，反向漏电流小于0.1uA;封装成冷白光效可达到140lm/W@350mA，性能与国际一流大厂大功率LED芯片水平相当。55mil 芯片光效更可达到150lm/W@350mA，比去年提升幅度近20%。同时，硅衬底大功率LED芯片在900mA电流，55℃下老化1800小时无光衰，显示了良好的可靠性。

　　孙钱博士同时介绍了6寸硅衬底大功率LED研发的最新进展。据介绍，晶能光电已开发出的6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及芯片工艺技术制造的45mil芯片光效已达到125lm/W，并且将于明年实现6寸硅衬底45mil LED芯片的批量生产，光效达140lm/W以上。

　　晶能光电是全球硅衬底LED技术和产业化的引领者。硅衬底大功率LED芯片投放市场以来，其芯片性能进步神速，市场反响强烈，优良的可靠性和良好的性价比得到越来越多客户的认可。在本次光亚展中，运用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组首次亮相。硅衬底模组以3.5元/W、质量五年的高性价比受到了同行的广泛关注。

　　【关于孙钱博士】

　　2009年获美国耶鲁大学博士学位，荣获耶鲁工学院最高奖和国家优秀自费留学生奖学金。

　　2011年入选中组部首批国家“青年千人计划”，晶能光电有限公司硅衬底氮化镓LED研发副总裁，带领团队成功研发出硅衬底氮化镓基垂直结构大功率LED的外延及芯片技术，并于2012年6月在全球率先量产硅衬底上GaN基大功率LED，入选国际半导体照明2012年度新闻。

　　十多年来一直从事氮化物半导体材料生长与器件制备的研发，包括纳米多孔GaN的低成本制备及其应用，相关专利成果已许可给国际某LED厂家用于提高LED产品的光效。迄今为止共发表近50篇SCI收录的学术论文，总引用逾430次，参与编写了英文专著一章，曾多次应国际会议邀请作特邀报告，应邀为多家国际一流学术期刊审稿人，拥有多项美国和中国发明专利。目前作为负责人承担国家科技部863计划课题等科研任务。

　　【关于硅衬底大功率LED芯片】

　　晶能光电硅衬底大功率LED蓝光芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基LED器件，结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术，是目前全球唯一商品化的硅衬底大功率产品。具有完整的自主知识产权保护，产品可销往国际市场，不受国际专利限制，是名符其实的“中国芯”。

　　硅衬底大功率LED芯片可广泛应用于便携式照明、LCD背光、户内照明和户外照明。目前已经成功应用于路灯、球泡灯、手电筒、矿灯头灯等室内外中高端照明产品。具有以下特点：

　　1、采用银反射镜电极，电流分布更均匀，可用大电流驱动。

　　2、硅衬底比蓝宝石衬底散热好。

　　3、具有朗伯发光形貌，白光出光均匀，容易二次配光。

　　4、打线少，可靠性高。

　　5、可采用导电银胶，焊锡或共晶焊固晶。

　　6、硅衬底LED芯片单面出光，且分布均匀，适合做荧光粉直涂的直接白光芯片，降低封装成本。

　　7、适合于陶瓷基板封装，使大功率封装容易自动化。

　　【关于晶能光电】

　　晶能光电是由金沙江创业投资基金牵头，联合国际顶尖级创业投资基金Mayfield fund,AsiaVest，IFC等共同投资设立的，全球第一家也是目前唯一一家专业从事硅衬底GaN基LED外延材料与器件研究与生产的高科技企业。目前注册资金9300万美元，总投资超过10亿元。

　　晶能光电拥有的硅衬底氮化镓基LED材料与器件技术是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术，具有原创技术产权，迄今为止已申请或获得国际国内各种专利200多项。更多详情请点击http://www.latticepower.com