2012年3月21日，与SEMICON China 2012同期举办的“ LED China 论坛 2012”在上海嘉里中心举办，论坛议题聚焦于技术与市场最前沿：蓝光LED发明人中村修二教授带来极化LED最新研究成果，普瑞光电公布基于8寸硅衬底开发的GaN LED产品的应用表现，另外，美国QD Vision公司也介绍了其量子点LED技术进展，而大规模MOCVD反应设备、低成本LED光刻和照明细分市场等也成为此次论坛的主要内容，特别值得关注的是，对于衬底材料(硅衬底)的研发，此次论坛上有六位演讲者在其发言中重点提及，而“如何提升产量与性能及通过技术研发降低成本”也成为本次论坛的主基调。

　　蓝光LED发明人中村修二教授

　　加州大学圣巴巴拉分校教授、氮化镓蓝光之父中村修二博士在LED China 2012论坛上作为重量级嘉宾特别演讲了关于固态照明市场的现状和未来发展趋势，报告题目为《非极性、准极性蓝绿光LED及激光管的最新进展》。中村修二从专业视角深度分析了非极性、准极性氮化镓相较于传统的c面氮化镓在发光效率、减少蓝移、解决绿光gap方面有着极大优势，并通过详细的数据图表进行对比说明。非极化、准极化蓝绿光氮化镓激光器相较于传统氮化镓激光器空穴有效质量更小、动能矩阵元素更大、更低的透过载流子密度、更高增益等，将广泛应用于下一代显示器及投影仪;最后，中村修二教授介绍了课题组采用氨热法制备大体积氮化镓晶体的进展及成果。

　　爱思强股份有限公司大中华区副总裁Christian Geng博士的演讲题目为《先进MOCVD技术助力大规模LED产能与性能提升》。他特别提出，如何提升生产力和提升产品性能将成为未来趋势，尤其要考虑技术应如何尽可能地满足市场的需求。他在发言中提到：通过加大反应器尺寸，由2寸晶圆片向4寸、6寸、甚至8寸转化，将大大降低成本;如果和56片机(二英寸)的产能相比，8片机(6英寸)MOCVD将提升30%的产能，而成本则会下降35%。而尺寸增大后，会直接导致良率下降，而有效控制工艺过程的一致性及良率问题也是关键问题。

　　普瑞光电研发副总裁Long Yang声称，普瑞光电明年中期将开始8英寸硅衬底的量产，而对于目前未能量产的原因，普瑞的解释是“在良率上和可靠性上尚未得到突破”。对于硅衬底的发展趋势，他认为：硅衬底最大的优点将体现在产量方面，随着未来大规模生产和工艺的改进，硅衬底在生产量和良率上的优势将得到明显体现。如果八英寸量产实现，将有望一举打破现有衬底技术的局限性，整个行业的格局或将随之发生重大变化。

　　2010年进入MOCVD研发领域的韩国半导体设备制造商周星工程有限公司全球营销总监黄俊凯也详细阐述了超大规模MOCVD技术降低LED制造成本的情况。他认为，未来衬底材料的改变(硅衬底)将会提升产量和降低成本，目前周星也已进入这一领域的研发。

　　LayTec AG公司的业务开发经理Thieme Tom重点分享了实时监测对于提高LED制造良率的重要性，主要关键点在于通过实时监测外延生长的温度、曲度及厚度来判断整个外延生长的情况。

　　“2020年之前会发生什么事情呢，晶元的尺寸会改变么，我们认为一定会的，而芯片的价格会保持稳定么，不太可能。同时，我们更需要注重的是技术和设计系统应注重怎样的创新才能对未来趋势有更好的适应性。”论坛上，多位发言人这样表述了自己的观点。

　　最后，科锐中国区市场总经理兼SEMI中国LED委员会主席唐国庆先生在演讲中提出仍坚信2012年将是LED照明超越与起飞的一年，唯有通过创新的技术才能有效降低成本，才能够推动市场更快更好发展。

　　另外，与论坛同期举办的SEMICON China 旗下LED制造专区作为中国唯一以LED制造为主题展示平台也得到业界高度关注，SEMICON China 2012 LED制造专区比2011年的规模增长了800%。