NGK（日本）开发出GaN衬底的UHB - LED
2011-12-14
作者：Simone 译
来源：新世纪LED网
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摘要： 近日，日本公司NGK Insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(UHB )LED，基于液相外延生长技术，超高亮度(UHB )LED实现了其创新功能。 据 NGK估计，其氮化镓晶圆发出了前所未有高水平，高效率的冷光，这意味着UHB - LED也可适用于商用投影机和汽车大灯，甚至适用于混合动力汽车和电动汽车使用的功率器件。
近日，日本公司NGK Insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(UHB )LED，并在2011年12月7日至9日千叶县幕张国际会展中心举行的2011年日本半导体国际展览进行首次展出。
NGK以电子领域的晶片产品的研究和发展作为公司主要目标。在研发过程中发现，使用单个晶圆材料和单个GaN单晶晶圆连接，能使整个晶圆表面保持低缺陷密度和无色透明的状态，从而产生了新功能。
基于液相外延生长技术，超高亮度(UHB )LED实现了其创新功能。 据 NGK估计，其氮化镓晶圆发出了前所未有高水平，高效率的冷光，这意味着UHB - LED也可适用于商用投影机和汽车大灯，甚至适用于混合动力汽车和电动汽车使用的功率器件。
UHB - LED的出现，加速了晶圆产品以及下一代半导体晶元(其中不包括稀有金属)的发展。
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