京都大学公布SiC制BJT最新成果
摘要： 日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“ICSCRM 2011”上公布了正在研发的SiC制BJT(bipolar junction transistor)的最新成果。据研究小组介绍，使用C面时，电流放大率在室温下和250℃时，分别得到了439和165的高电流放大率。但是由于掺杂浓度小、耐压低的缘故，所以与原来的功率元件用SiC制BJT“不能笼统地进行比较”
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“ICSCRM 2011”上公布了正在研发的SiC制BJT(bipolar junction transistor)的最新成果。该研究小组曾在2011年5月举行的功率半导体相关国际学会“ISPSD 2011”上，公布了室温下电流放大率高达257的BJT。而此次公布了同一BJT在高温下工作时的电流放大率。具体为在250℃下工作时，电流放大率达到127(图1)。据该研究组介绍，以前公布的SiC制BJT中，在250℃下工作时电流放大率没有超过100的。
虽然BJT具有导通电阻小等优点，但因其属于电流控制型，所以BJT控制电路容易变大。要弥补这个弱点，需要提高电流放大率。这样，即使小电流也可开关BJT，有望缩小BJT控制电路的尺寸。实际电路中使用的目标电流放大率为“100”(京都大学须田)，而此次在250℃的高温下工作，电流放大率也超过了这一目标值。
上述成果是使用被称为“Si面”的SiC结晶面取得的数值。据研究小组介绍，使用C面时，电流放大率在室温下和250℃时，分别得到了439和165的高电流放大率(图2)。但是由于掺杂浓度小、耐压低的缘故，所以与原来的功率元件用SiC制BJT“不能笼统地进行比较”。(来源：技术在线）
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