Translucent(一家REO供应商)近日宣布了其vGaN系列硅基晶片模板的商业可行性，“vGaN”指的是虚拟氮化镓。它为半导体生长面提供物理性质为GaN，但实际上则使用硅衬底配合REO材料外延层。vGaN衬底使得工业标准MOCVD生长过程首次与低成本结构以及硅工业规模效应接轨。vGaN产品为LED及FET(场效应晶体管)提供了一个低成本高质量的外延型氮化镓器件生长面。

　　Translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展REO基GaN衬底“III-N半导体”的生产源。透明REO层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表现突出。此外REO层的宽能带隙使vGaN衬底FET拥有了更高的崩溃电压特性。

　　Michael Lebby(Translucent总经理)如是说：“我们引领了Translucent REO外延的新时代。我们克服了重重困难使GaN的量产变得划算。我们的vGaN平台是一种硅基科技，这使得我们可以有效的利用已成熟的低成本的硅衬底科技。我们也期待我们的vGaN能给GaN基LED和FET带来真正的效益。”

　　GaN生长于蓝宝石衬底。蓝宝石衬底在大直径尺寸下(200mm或更多)成本高昂。另外生厂商所面临的首要问题是又大又重又贵的蓝宝石衬底。为此生产商们不得不为了加工购进特殊处理装置。相反，大多数加工厂有制程可以制造200mm直径的硅衬底。这使得大直径硅衬底成为LED和FET产业规模生产的首选。

　　Translucent的vGaN晶片已经可以做到直径100mm，预计明年实现生产150mm和200mm规格。