InGaN-on-Si长波LED设备第一次被证实
2011-07-14
作者：杜娟
来源：中国半导体照明网
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摘要： 位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备，其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。
位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备，其相比于传统蓝碳宝石或化硅衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比，由于量子效率的下降，制造绿光LED以及长波氮化物基LED极具挑战性，一直被认为是行业发展的一个里程碑。
玫瑰街实验室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)将负责绿光LED和长波LED的封装。FCL在封装半导体功率器件方面具有丰富的经验，其分布于全球的制造厂将为该实验室提供专属的LED设备封装解决方案。
玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。该公司表示，InGaN-on-Si长波LED具有高强度、低能耗和商业成本极低的优点，预计未来2-3年中该技术可实现在200毫米硅衬底上生产InGaN-on-Si的LED设备，商业前景广阔。
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