日本开发出使用氧化镓基板的GaN类LED元件
2011-03-29
作者：未知
来源：ledinside
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摘要： 外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，预计该元件及氧化镓(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。该LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，预计该元件及氧化镓(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。
该LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。将用于前照灯及投影仪等需要高亮度的用途。另外，氧化镓基板通过简单的溶液生长即可形成，因此是一种可实现低成本化的技术，还能用于照明等用途。
氧化镓基板具有高导电性，使用该基板的GaN类LED元件可在表、里两面设置电极。田村制作所与光波公司此次开发了可大幅削减设于氧化镓基板和GaN类外延层之间的缓冲层电阻技术，并且通过确立在氧化镓基板上形成低电阻n型欧姆接触电极的技术，实现了可流过大电流的LED元件。
虽然有观点指出氧化镓基板容易破裂，但据称此次通过调整氧化镓基板的面方向解决了这一问题。
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