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投资9亿元,创维进军半导体设计

2010-08-24 作者:未知 来源:ledinside 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 据悉,创维半导体设计中心位于深圳市高新南区高新南四道与科技南十路交接处西北角,占地17025.5平方米,建筑面积85128平米;项目总投资91076万元人民币。

  8月24日上午消息,深圳市十大产业项目之一的创维半导体设计中心今日正式开工。该中心建筑面积达8.51万平方米,项目总投资9.11亿元,设计内容包括视频芯片、多媒体芯片等的设计与验证。

  据悉,创维半导体设计中心位于深圳市高新南区高新南四道与科技南十路交接处西北角,占地17025.5平方米,建筑面积85128平米;项目总投资91076万元人民币。设计内容涵盖:视频芯片的设计与验证、多媒体芯片的设计与验证、TV控制主芯片的设计与验证、T-com时序控制芯片的设计与验证、伴音功率放大器芯片的设计与验证、视频处理芯片中集成DDR/SDRAM IP的设计与验证、LED光源新型材料的研究、LED外延片工艺技术研究、LED外延片专用生产设备国产化开发和研究、LED芯片的设计、LED背光模组的设计及中试、OLED显示技术研究等。

  创维集团董事局主席兼CEO张学斌表示,他个人十分看好半导体设计中心项目,进军半导体将为创维下一步涉足芯片设计奠定基础,而在未来彩电业的竞争中,只有具备芯片设计能力的企业才能成为强势企业。创维半导体设计中心的建设,对创维未来5~10年的发展具有重要意义,是创维实现“五年500亿,十年1000亿”战略规划的技术保证和前提。

  业内专家分析,国内分立器件市场中,进口产品依然占据了绝对多数,国内产品市场需求缺口很大,这给企业进入半导体制造领域提供了较好的机会。(编辑:ZQY)

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