在Photonics West展会上，日本LED巨头日亚(Nichia)展示了最新的实验室结果，其中一项性能得到提升的LED和3W蓝色激光二极管引起了与会者的广泛关注。

　　通过加快研发进程、将LED的发光效率提高至249lm/W@20mA，Nichia研发者捕捉了LED产业的目光。然而，在1月29日举办的Photonics West展会上这个值降至145lm/W@350mA，很显然，350mA是今日高亮度LED常用来衡量输出功率的驱动电流。与之相比较，Cree和Osram最近宣布LED的发光效率实验值分别是161lm/W@350mA和136lm/W@350mA。

　　这个由于改变驱动电流引起的发光效率下降看似不大合理，Nichia的Takashi Mukai表示可能在工艺环节出了状况。起初，Mukai从理论上解释了白光LED的的效率极限值是263lm/W，然而当听众提问效率还有没有提升的空间之时，他解释说通过引入一种新的荧光技术Nichia将这个极限值提高到300lm/W以上。此外，它也具有一个六角形蓝宝石衬底(专利)和一个透明的ITO接触层，这与前年推出的LED产品相似。

　　Atsuo Michiue是Mukai的同事，他详细介绍了隐埋条纹445nm激光器的性能，它具有一个双量子阱有源层、一个15μm×2μm的发射区域，在输出功率高达3W时不发生灾难性的光学损伤——这在高功率半导体激光器中最为常见。

　　这个边发射器阈值电流是185mA，功率转换效率(WPE)最高达24.3%，预计寿命超过3万个小时，再垂直方向上的远场光束发散度测量值是38.2°，在平行方向是11.7°。有听众问及Nichia是否计划将激光器的波长延至488nm，对方简单地回答说此乃“最高机密”。(编辑：CBE)