InPhenix成功研制出840nm SLED
2009-01-13
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来源：光电新闻网
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摘要： 作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商，Inphenix公司高兴地宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。
作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商，Inphenix公司高兴地宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。
新款的840nm SLED扩展了Inphenix公司在750-1600nm波段的SLED产品线，增强了Inphenix的GaAs光学器件在OCT领域的应用表现。840nm波长SLED使用了独特的多重量子阱设计，使之具有功率大、带宽宽、以寿命长的特点，器件工作更稳定。
目前840nm SLED已经开始批量发货，可接受小批量和大批量订货。(编辑：CBE)
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