日立开发补偿LSI内部电压下降的技术
2008-06-20
作者：木村 雅秀
来源：日经BP社
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摘要： 日立制作所与瑞萨科技联合开发出了利用辅助电源补偿LSI回路区块电压下降的技术，并于2008年6月18～20日在美国檀香山举行的“2008 Symposium on VLSI Circuits”上公布了相关详细情况。
日立制作所与瑞萨科技联合开发出了利用辅助电源补偿LSI回路区块电压下降的技术，并于2008年6月18～20日在美国檀香山举行的2008 Symposium on VLSI Circuits上公布了相关详细情况。
一般来说，在工作负荷大的电路区块附近，容易产生电源线内电压大幅下降的现象，从而导致LSI工作不稳定。为解决这一问题，通常是将电源电压略微提高，以留有余地。但这又阻碍了LSI的低电压化。
此次，在电路区块内配备片上用数字电压计来检测电压下降，并将电路区块连接到普通电源系统以外的辅助电源上。用基于65nm工艺技术试制的测试芯片进行的效果确认表明，采用辅助电源，可以将LSI内部的电压下降减小40mV。由此，可以将1V的电源电压降至0.96V。
由于辅助电源可以只为必要的电路区块供电，因此下层布线可以较细。与加粗上层电源布线以抑制电压下降的方法相比，布线的利用效率更高。两家公司力争2010年使该技术达到实用水平。
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