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最新研制得新一代白光LED产品WLED登场

2008-12-22 作者: 来源:光电新闻网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 法国科学家的研究显示,“单晶”(monolithic)白光发光二极管(WLED)的表现可望超越先前使用复合技术制造的WLED。CRHEA-CNRS的Benjamin Damilano及其研究团队利用氮化铟镓(GaInN)/氮化镓(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出WLED。这项成果使WLED的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使用的白炽灯泡。

  法国科学家的研究显示,“单晶”(monolithic)白光发光二极管(WLED)的表现可望超越先前使用复合技术制造的WLED。CRHEA-CNRS的Benjamin Damilano及其研究团队利用氮化铟镓(GaInN)/氮化镓(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出WLED。这项成果使WLED的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使用的白炽灯泡。

  科学家在WLED方面已经努力了近十年,希望制作出效率高、寿命长且便宜的固态WLED,以便与现行高耗能的白炽灯泡或荧光灯管一较长短。虽然发光效率达200lm/W的WLED已经问世,但与传统光源相比,成本仍旧偏高。

  近来,包含CRHEA-CNRS在内的许多研究团队都证实,通过在氮化镓的p-n接口中堆栈氮化铟镓或氮化镓量子阱,就可以制造出单晶WLED。所谓单晶是指采用连续外延生长的单一工法来取代传统制造磷光WLEDs的双重工法(外延加上沉积)。这项技术不仅能降低成本,更可以提升产品可靠度。

  CRHEA-CNRS团队借助在组件p-n接口中的电子主动区生长不同厚度的量子阱,来产生蓝光及黄光,混合后便能产生白光。然而这项设计有个缺陷:激发出的光对于注入的电流变化非常敏感,所以组件的发光效率会被黄光量子阱限制住。

  生产WLED的现场

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