(中国半导体照明网讯)2008年2月20日，美国哥伦比亚大学退休教授Gertrude Neumark Rothschild 向美国国际贸易委员会(ITC)提起申请，指控全球30家企业在美生产和对美销售的发光二极管(LED)和激光产品侵犯其1项专利(专利号：5252499)，要求ITC对被申请人启动“337调查”，并申请普遍排除令和禁止令，我国广东和深圳共4家企业涉案。涉案产品在美国海关税号为85414020(发光二极管)、85414060(发光二极管外的其他半导体器件)。2008年3月20日美国ITC正式立案。

　　据商务部统计，2007年我国对美出口约3.5亿美元，同比增长53.9%，涉及我国二极管对美出口的企业近百家。商务部紧急照会有关企业和行业协会，指出这是今年以来我国企业遭遇的第5起“337调查”申请。如美ITC最终对我国产品发布普遍排除令，则在原告专利有效期内，我国任何企业生产的发光二极管产品及包含发光二极管的下游产品将被全面禁止向美出口。因此，该案对我发光二极管产业及下游产业的影响十分剧烈，应给予高度重视。

　　涉案专利分析

　　国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)得知上述事件后，高度关注事件的进展，在第一时间组织联盟专利池工作组、行业技术专家和专利律师对“337调查”案涉及的5252499号专利进行分析，通过分析发现该专利主要内容是指通过P型和N型掺杂制作PN结半导体器件的工艺过程及方法。从技术角度看，此专利申请时只针对了II-VI族半导体，而不针对GaN等III-V族半导体材料，这点在专利中各处均有明确说明，但是美方的起诉申请中，刻意避开了此项权利要求，而对权利要求附属的其他权利要求进行保护申诉。专利申诉要求保护的内容包括短波长GaN基LED、LD的蓝紫及UV波段相关产品及应用。即设计GaN P型掺杂的都受到影响，而红、橙、黄色LED及LD(激光二极管)由于不使用GaN材料而不在保护之列。因此，从其专利申请的目的来说，此专利的权利要求集中在II-VI化合物半导体材料体系，而目前半导体照明产品基本集中在III-V族半导体材料体系，如氮化物等，特别是纠纷中提到的短波长LEDs及LDs更是集中在GaN体系材料。

　　从申请目的上说其专利对目前化合物半导体照明材料领域的产商不能构成实质威胁。专利律师认为本案的争议不单纯是技术本身的问题，更多的是专利方面的法律问题，需要解决的主要问题有：

　　1.专利是否能够依据其中一个专利保护要求并进行放大来要求权利保护。

　　2.法院如何取证并做出判断。

　　3.被告的多家公司的判决结果是否会相同?是否因为应诉积极性而不同?(目前来说各家所采用的技术基础一致，判决结果应该一致。)