日前，我国拥有完整自主知识产权的一项半导体照明（LED）技术产业化项目在南昌开工，打破了日美等发达国家对半导体照明技术的垄断。

　　由晶能光电（江西）有限公司投资的“硅衬底氮化镓基蓝色发光二极管”产业化项目将分三期建设，一期总投资7000万美元，将形成年产50亿粒硅衬底蓝、绿光LED芯片的生产能力，2007年底投产；二期建设实现年产硅衬底蓝、绿光LED芯片100亿粒；三期建成上中下游产业链，实现LED产业集群，成为国际上最有竞争力的半导体照明产业化基地之一。

　　晶能光电（江西）有限公司技术来源于南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心。该中心在863计划、电子信息产业发展基金和江西省与南昌市科技计划的资助下，攻克了10多项技术难题，在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管材料与芯片，并在全球率先实现了量产，在国际同类研发工作中处于领先地位。该产品具有原创知识产权，其研制成功，改变了日美等发达国家垄断LED核心技术的局面，走出了一条具有我国特色的LED发展之路。

　　“硅衬底发光二极管材料及器件”是一种新型发光材料与器件，即用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管材料及器件。由于硅衬底的器件成本要低得多，将是目前市场上“蓝宝石”或“碳化硅”衬底发光材料与器件产品的有力竞争者，具有较强的市场竞争力。据预测，2006年全球的高亮度发光二极管的销售额将达到40亿至50亿美元，到2010年末将达到100亿美元。