TDI开发出新款InGaN基底，量产供应给全球LED厂
2007-08-22
作者：
来源：ledinside
浏览量：
网友评论：
0
条
摘要： 美国一家发展复合材料技术的公司Technology and Devices International日前表示，他们已经发展出新的InGaN（氮化銦鎵）表层材料，能够供应给LED生产之用。
美国一家发展复合材料技术的公司Technology and Devices International日前表示，他们已经发展出新的InGaN(氮化銦鎵)表层材料，能够供应给LED生产之用。
InGaN是以GaN为基础的紫外光、蓝光、绿光与白光LED与蓝光雷射二极体(LD)等产品的基底材料，该公司指出透过新的技术，能够让以InGaN材料为基础的元件获得更佳效能。
这次新的基底组成，是以1层InGaN佈置在2英吋直径的GaN晶版上，产品的主要诉求市超高亮度紫外光、蓝光与绿光LED装置，而蓝光与绿光雷射二极管也能够采用这款材料。
TDI公司预计新的InGaN基底材料将于2008年初量产，而这项新成果主要是受到美国能源部、国防部的支援协助，预计能为固态照明、LED产业带来新的动力。（编辑：ZQY）
凡本网注明“来源：阿拉丁照明网”的所有作品，版权均属于阿拉丁照明网，转载请注明。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
最新评论
用户名： 密码：
