2007年6月7日，与中、美、韩、日政府相比，英国政府对基于LED的固态照明灯具在节能方面的潜力的认知相对较慢，但其现在似乎已经有所行动，支持由Filtronic、Qinetiq 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器，来实现低成本芯片的制备。英国贸易工业部(DTI)已向这一团队授予了一份300万英磅(596万美元)的合同。制造手机和国防用GaAs射频电路(在6英寸晶圆厂中制备)的Filtronic公司指出，项目如获成功，英国将可能首次成为量产LED芯片的基地。

　　实际上，目前实现商业化的GaN LED都是在蓝宝石或硅化硅(SiC)衬底上制备出来的。这两种衬底都有一定的缺点：蓝宝石生产向大尺寸晶片迈进被证明有一定困难，而SiC相对来说则比较昂贵。但Cree最近已开始将其 GaN-on-SiC(碳化硅上氮化镓)LED的生产向4英寸晶片转移。另一方面，成本较低的GaN-on-silicon(硅上氮化镓)LED还处于实验室开发阶段。普通认为日本Shimei Semiconductor公司正在将其拥有的GaN-on-silicon制备方法商业化，尽管该公司的网站上未有任何产品被披露。

　　合作团队认为在6英寸硅衬底开发GaN LED的新颖方法潜力很大，但还只是说，这一项目将使固态照明路线图前进一大步，为英国进入未来主流市场提供了一条路径。这一技术采用的关键是成本，项目致力于通过研究大直径衬底和成熟量产的一致性来开发低成本解决方案。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/6/8/1)（编辑：ZQY）