Cree展示4英寸零微管SiC衬底
2007-05-24
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来源：中国半导体照明网译
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摘要： 2007年5月23日，Cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(ZMP)n型SiC衬底。
2007年5月23日，Cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(ZMP)n型SiC衬底。
微管是SiC晶片中普遍存在的晶体缺陷，它不仅限制了每张晶片上器件的良品率，还影响着每只器件的性能参数。直到现在，几乎所有商业衬底商提供的SiC晶片都存在微管缺陷。
受美国陆军和国防先进研究计划总署(DARPA)支持的Cree公司，通过之前的研发使这些缺陷明显减少了。而Cree目前的成果证明其同样有能力在大尺寸晶片上消除这些缺陷。
Cree称4英寸ZMP衬底的成功进一步证明了其在材料技术上的专业技能，并期望ZMP技术可大大提高器件的良品率，扩大产品的设计、制造范围，实现量产水平级的生产。（编辑：PCL）
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