4月14日，2005中国(厦门)国际半导体照明论坛专题技术报告(Ⅱ)在厦门国际会展中心会议厅举行。报告由国家“863”计划新材料领域光电子材料和器件专家组组长陈皓明教授和日本名古屋工业大学的Takashi Egawa 教授主持。美国亚力桑那大学的Fernando A.Ponce 教授和北京大学的张国义教授等专家学者做了精彩的演讲。具体演讲次序和主题如下。

　　08:30-08:50 微结构对高亮度GaN/InGaN LED内量子效率的影响

　　Fernando A.Ponce 教授 美国亚力桑那大学

　　08:50-09:10 用激光剥离蓝宝石衬底方法制备GaN基发光二极管

　　张国义教授 北京大学

　　09:10-09:30 InGaN/GaN量子阱属性的控制

　　郝茂盛教授 日本名古屋工业大学

　　09:30-09:50 用于固态照明的氮化物光子晶体LED和AC-LED

　　Hongxing Jiang 教授 美国堪萨斯州立大学

　　09:50-10:10 残余应变和应力对InGaN/GaN多量子阱LEDs性能的影响

　　刘纪美教授 香港科技大学

　　10:10-10:30 InN系三元合金生长和表征的新进展

　　Akihiko Yoshikawa 教授 日本千叶大学

　　10:30-10:50 白光照明光源开发技术现况与未来展望

　　简奉任先生 璨圆光电股份有限公司董事长

　　10:50-11:10 功率型LED光学与热学

　　罗毅教授等 清华大学

　　11:10-11:30 LED二维光源与数字化智能照明（编辑：ZQY）