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Cree公司获ATP和NETL奖项

2004-12-06 作者: 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 2004年10月11日报道:美国北卡罗来纳州的Cree公司最近获得了两项美国政府颁发的奖项,总奖金为420万美元。

  2004年10月11日报道:美国北卡罗来纳州的Cree公司最近获得了两项美国政府颁发的奖项,总奖金为420万美元。其中一项来自美国商务部国家标准暨技术院(NIST)管理的高技术计划(ATP),另一项则来自国家能源技术实验室(NETL)。二者都为了半导体照明产品的研发,使用Cree公司在SiC衬底上制作的GaN基蓝光发光管芯片实现普通照明,达到降低成本,减少能源消耗的目的。这两个项目仍要谈判并使合约的条款及条件生效。ATP项目的目标是亮度达到现有LED系统的4倍,发光效率达到现有产品的2倍,并使用白光LED灯减少单位光通量成本。项目期限为3年,需要与Nanocrystal Lighting公司合作完成。NETL的项目也是3年,目标是代替光效率低的白炽灯,研发带有集成光学、电源调控与热控制电路的微小管芯LED阵列。(编辑:FJ)

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