LED显示屏P4厂家报价方案
2017-07-14 浏览量：88次
LED显示屏P4厂家报价方案
LED显示屏P4屏体占用体积小、箱体重量轻、色彩柔和逼真、一致性好，显示图像细腻逼真，表贴封装技术、均匀度、亮度、视角好、实现快速安装和拆卸，节省您宝贵的时间和劳力成本；LED显示屏P4-首选深圳四维鑫光电-携手国内外知名厂家管芯（科瑞、日亚、晶元、光磊）、封装、聚集驱动IC、创联电源品牌厂商，强强联手，制造国内外性价比高的P4LED显示屏产品。我们的工程师分布在全国的每一个角落，常年免费上门安装、售后维护。我们的案例遍布24省市，点缀着每一条大道。
P4显示屏具有颜色一致性好、亮度高、光衰小、视角大等优点，尤其是超给力的价格，性价比行业内名列前茅！
LED显示屏P4厂家报价方案原材料优势：
（1）面罩、壳体具有抗紫外线，耐高温等功能。
（2）LED采用特殊的双焊点工艺，保证了LED性能可靠稳定，1.25mil纯金金线，LED外面的环氧树脂热胀冷缩系数最小，具有抗紫外线功能。芯片采用抗静电大于5000V、耐高温300℃、14mil芯片，保证了成品LED具有级强的抗衰减特性；支架采用LED显示屏专用铜支架，具有散热快、可焊性优良；成品LED还要经过160℃高温测试，确保了LED灯的品质；采用台湾晶元，光磊，杭州仕兰等分光标准，保证了LED显示屏色彩、亮度的一致性。
（3）接插件：采用5mil以上镀金接插件，磷铜材质，100%通过168小时的烟雾酸碱实验，不易氧化，不易腐蚀，具有级强的弹性，插拨次数大于200次，耐气候寿命不小于10年。
（4）PCB电路板全部采用优质板，覆铜厚度大于1盎司，还要经过三防漆处理，增强了耐腐蚀性和可靠性。
（5）导线全部采用高品质电源线，发热亮小，安全耐用。
（6）电源采用创联优质的电源，增强了显示屏供电的稳定性和可靠性。
LED显示屏P4厂家报价方案：
产品规格：P4
点中心距：4mm
象素密度：62500点/㎡
单元板尺寸：128×128mm
显示分辨率：32×32点
显示基色：全彩
象素组成：1R1G1B
显示颜色：1677万色
等级灰度：256级
可视角度：水平：120° 垂直：120°
可视距离：3-15m
平均功率：700W/㎡
工作电压：AC 220V±15% 47-64
驱动方式：1/16扫描（动态）
传输距离：5类双绞线＜120米（
工作温度：工作温度：-10-50°
使用寿命：100000小时
P4全彩显示屏-深圳四维鑫光电以良好的职业操守和优质的服务获得了采购商的广泛好评。展望未来,我们将一如既往地坚持“信誉第一,质量第一,客户至上,服务至上”的经营宗旨,愿同新老客户精诚合作,互惠互利,共同发展,愿我们的努力能给你们的事业带来更加辉煌
LED大屏幕芯片技术的差异
芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED大屏幕厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
衬底材料和晶圆生长技术成关键
目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，这两种材料价格都非常昂贵，且都为国外大企业所垄断，而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。
但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。
无疑，从衬底角度看，主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战相对严重的中国来说，硅衬底更有成本和价格优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。
目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
国内外芯片技术差异大
在国外，欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破，飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中，在2011年，美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W;在2012年，欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。
反观中国内地，LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术，除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破，目前中国内地LED显示屏企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术，内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。
LED大屏幕芯片技术的差异
芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED大屏幕厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
衬底材料和晶圆生长技术成关键
目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，这两种材料价格都非常昂贵，且都为国外大企业所垄断，而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。
但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。
无疑，从衬底角度看，主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战相对严重的中国来说，硅衬底更有成本和价格优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。
目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
国内外芯片技术差异大
在国外，欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破，飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中，在2011年，美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W;在2012年，欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。
反观中国内地，LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术，除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破，目前中国内地LED显示屏企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术，内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。
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