X2金属化聚丙膜抗干扰电容器
金属化聚丙烯薄膜电容器 X2安规电容
特征及用途：
1、能承受较高的过压冲击
2、优异的阻燃性能
3、优异的防潮性能
4、抑制电源电磁干扰
技术参数Technical Specifications
项目Items | 性能要求Characteristics |
引用标准 Reference Standard | GB/T14472 (IEC60384-14) |
气候类别Climatic Category | 40/110/56 |
额定温度Rate Temperature | 85℃ |
工作温度范围 Operating TemperatureRange | -40~110℃ （+85℃to +110℃:decreasing factor 1.25% per ℃ for VR(DC)） |
额定电压Rated Voltage | 275VAC 300VAC 310VAC 315VAC 330VAC |
电容量范围Capacitance Range | 0.0 1μF～10μF |
电容量偏Capacitance Tolerance | ±5%(J）；±10%(K） (1kHz) |
耐电压Voltage Proof | 4.3UR(2S) |
损耗角正切Dissipation Factor | ≤10×10-4 (20℃;1kHz) |
深圳市创硕达电子有限公司是一家专业生产和销售全系列薄膜电容器的厂家。我们的薄膜主要是采用德国创斯普 日本东丽，王子 韩国诚汶的薄膜。通过不同的工艺生产出来了更高品质的产品。我们的产品主要分为：金属化聚丙烯薄膜电容（CBB电容），金属化聚酯薄膜电容（CL电容），安规电容（X2),储能电容（DC-LINK滤波电容）等一些主要的产品。欢迎广大客户前来选购。
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