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硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。
https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24
作为一种化合物半导体材料,GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效led的最新进展》为主题,作了精彩分
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
17日,记者从政府部门获悉,江西省出台《关于支持南昌国家硅基led工程技术研究中心科技成果转化实施方案》,充分发挥南昌国家硅基发光二极管(led)工程技术研究中心硅基led原创技
https://www.alighting.cn/news/20180119/154876.htm2018/1/19 10:08:21
三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
?11月21日上午,合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行,标志全球最大的硅基oled生产工厂正式投产。
https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24
乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
日前,英国microled公司plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个硅基inGaN红光led。
https://www.alighting.cn/news/20191209/165507.htm2019/12/9 9:29:51