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led行业未来3年 GaN专利战将全面打响

GaN衬底面临一些技术挑战。GaN之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

衬底GaN大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电衬底GaN大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

第三代半导体材料GaN产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,GaN材料具有许多半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

孙钱:衬底GaN高效led的最新进展

发副总裁孙钱博士以《衬底GaN高效led的最新进展》为主题,作了精彩分

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

加大政策扶持,南昌市成立led产业发展

17日,记者从政府部门获悉,江西省出台《关于支持南昌国家led工程技术研究中心科技成果转化实施方案》,充分发挥南昌国家发光二极管(led)工程技术研究中心led原创技

  https://www.alighting.cn/news/20180119/154876.htm2018/1/19 10:08:21

三安光电GaN薄膜led获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上GaN外延晶格质量及提高GaNled取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

比利时采用氮化鎵开发大功率白光led

日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的

  https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00

全球最大oled厂商合肥视涯建成投产

?11月21日上午,合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行,标志全球最大的oled生产工厂正式投产。

  https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24

乾照光电与武汉大学共同开发高功率GaN led

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型衬底上开发出高功率,可靠的GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此

  https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05

plessey开发出世界上首个inGaN红光led

日前,英国microled公司plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个inGaN红光led。

  https://www.alighting.cn/news/20191209/165507.htm2019/12/9 9:29:51

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