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gan基蓝绿光led应力老化分析

表现出的光差异,探讨与gan材料本身有关的失效模式和机理,同时建立一种非破坏的老化机理分析机制,通过小测量流下的应力老化分析,研究期间内部的退化机

  https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20

gan基功率led应力老化早期的退化特

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma流下的应力老化,发现蓝光led老化到24小时隧穿流最小,绿光led到6小时隧穿流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

大功率led芯片抗过应力能力研究

对不同大功率led芯片进行单次脉冲浪涌冲击,对比不同大功率led芯片在相同浪涌波形下的抗过应力能力。实验共测试5款led产品,发现不同大功率led芯片的抗过应力能力相差很

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/153954_33.htm2013/11/15 15:39:54

led灯具的过应力冲击防护设计

分析led灯具过应力冲击的故障现象、产生原因、解决办法;强调led灯具设计师必须在满足灯具尺寸、成本、照明效果等要求的前提下,为led灯具提供有效的过应力冲击保护设计。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/18/173714_75.htm2011/11/18 17:37:14

大功率led芯片抗过应力能力研究

对不同大功率led芯片进行单次脉冲浪涌冲击,对比不同大功率led芯片在相同浪涌波形下的抗过应力能力。实验共测试5款led产品,发现不同大功率led芯片的抗过应力能力相差很

  https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06

gan基功率led应力老化早期的退化特

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma流下的应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿流最小,绿光led到6 h隧穿流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

应力条件下gan子结构及光学质研究

采用密度泛函理论框架下的第一原理平面波计算方法,系统研究了不同应力作用下gan的子结构和光学质,对比分析了外压调制对gan的能带结构、态密度和光学质变化的影响。

  https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19

浅析:eos与esd的区别

本文就led生产中所出现的eos与esd,进行对比,简单介绍,希望可以帮到读者理解与强化概念;

  https://www.alighting.cn/resource/20110107/128096.htm2011/1/7 11:11:26

大功率发光二极管可靠和寿命评价试验方法

般采取加速实验的方法来测试推导led寿命。介绍了根据加速应力(主要分为单一加速应力和复合加速应力2种)评价led寿命的测试方法。在不同加速试验应力条件下测试了大功率led可靠,

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 10:20:47

浅谈led应用交流驱动技术

目前不管国内还是国外led的驱动路一般都采用直流源来供,本文将介绍用交流直接驱动led的技术,因led具有响应时间短,高频即理论上可闪烁无数次等特点。故此我们可直接用交

  https://www.alighting.cn/resource/200818/V252.htm2008/1/8 9:58:20

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