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sapmac法蓝宝石单晶的生长、检测与超声震动加工

c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3~5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52

led蓝宝石衬底项目的能源消耗分析研究

在介绍蓝宝石衬底生产工艺流程的基础上,以江苏省某蓝宝石衬底生产项目为例,分析国内此类项目能源消耗情况。结果表明: 该项目消耗的能源包括电力、水、氮气、氩气,据2009 年数据,该

  https://www.alighting.cn/resource/20130315/125881.htm2013/3/15 10:01:21

蓝宝石项目晶体生长技术研究报告

这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告,研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述,方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划,投资决策,本项目在运

  https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44

蓝宝石基底上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

led蓝宝石基板技术介绍

目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53

为什么要用单晶硅做芯片衬底

硅是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是硅,半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅(直拉和区熔)、外延片和非晶硅等,其中,直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17

详解:led用蓝宝石基板(led衬底)

目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ

  https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17

led泵浦蓝宝石光纤荧光温度传感器

采用激光加热基座法制备端部cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,得到一体型蓝宝石单晶光纤荧光温度传感头.对所制备的荧光温度传感头的荧光温度特性进行了实验研究.结果表明,随着温度升高c

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34

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