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通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
本文介绍蓝光led，和蓝光led在led照明市场上的供求现状分析。
https://www.alighting.cn/resource/20130220/126040.htm2013/2/20 14:53:26
世卫组织who爱眼协会公布：2006年至2008年因蓝光、辐射每年导致全球超过30000人失明，并在2009年底发出橙色预警：“蓝光、辐射对人类的潜在隐性威胁将远远超过苏丹红、三
https://www.alighting.cn/2012/11/5 14:45:15
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率gan 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
蓝光"led白炽灯"沿用白炽灯的结构设计是为了方便传承百年来白炽灯的使用习惯，创新其内涵是赋予led节能、无公害、长寿命的新技术。以蓝光hv leds为光源，加上黄磷滤色灯罩。市
https://www.alighting.cn/2012/8/28 10:59:47
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
