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附件为《硅衬底gan基垂直结构高效LED的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级LED硅基封装技术，并以此项技术提供高功率LED封装代工服务，对
https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
传统的氮化镓(gan)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
硅上氮化镓(gan)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
在si衬底gan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
