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led外延片的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所有

  https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00

led外延片的生长工艺概述

有电子工业的基础。总结led外延(磊晶)工艺介绍如

  https://www.alighting.cn/resource/20101207/128146.htm2010/12/7 13:53:39

led的外延片生长技术介绍

目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是两个方向:一是开发可一次在反应室

  https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38

蓝宝石市场现状及生长方法介绍

蓝宝石市场前景广阔,但目前生产大尺寸蓝宝石晶体技术主要被俄罗斯和欧美企业垄断。据统计,目前全球70%的蓝宝石衬底由俄罗斯企业提供,另外30%由美国和欧洲掌控。国内尚未形成产业化生产

  https://www.alighting.cn/resource/20110813/127320.htm2011/8/13 12:02:32

led封装工艺流程

led封装工艺流程介绍。

  https://www.alighting.cn/resource/20090115/128967.htm2009/1/15 0:00:00

生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

hid灯在植物生长领域的应用

《hid灯在植物生长领域的应用》介绍随着农业生产技术的不断发展,为弥补特定条件下植物生长光照的不足和缩短植物的生长周期,人造光源被越来越广泛的应用到植物生长照明领域。《hid

  https://www.alighting.cn/resource/2011/6/3/103744_19.htm2011/6/3 10:37:44

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

led焊接工艺探析(上)

摘要:分别从焊接前的质量控制、生产工艺材料及工艺参数这三个方面探讨了提高焊接质量的有效方法。

  https://www.alighting.cn/resource/2012/8/3/172544_50.htm2012/8/3 17:25:44

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