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节作用。同时,对sicge薄膜进行了变温pl测试,发现当测试温度高于200k时,发光峰呈现出蓝移现象。认为这是不同机制参与发光所造
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
采用高温固相法合成了licapo4:eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相
https://www.alighting.cn/resource/20110324/127824.htm2011/3/24 18:49:36
光效下降现象是指：向芯片输入较大电力时led的发光效率反而会降低的现象。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128113.htm2010/12/31 10:46:32
关于静电击穿现象的解析报告，仅供参考。
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126019.htm2013/2/22 13:34:51
简析led静电原理
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/20/10149_35.htm2012/3/20 10:14:09
led的发光颜色和发光效率与制作led的材料和制程有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于led工作电压低(仅1.5-3v)，能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压(或电流)调
https://www.alighting.cn/resource/2008512/V15569.htm2008/5/12 10:34:49
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
通过计算发现两种形式的间接俄歇复合机制是引起led发光效率降低的主要原因。led发光效率降低是指在高驱动电流条件下led 器件发光效率降低的现象，许多研究者集中地讨论了导致le
https://www.alighting.cn/2011/11/14 13:56:08
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
