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构，利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天，在各领域的应用有著相当令
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
在向大功率、高亮度led的最大光提取效率迈进时，飞利浦lumileds公司（位于加拿大圣何塞市）与飞利浦research公司（位于荷兰艾恩德霍文市）的研究人员研制出一种使用电子晶
https://www.alighting.cn/resource/20090324/128677.htm2009/3/24 0:00:00
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍旧有
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的gan类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
源的相干性.由于计算的复杂程度,对模型进行了简化处理.把光子晶体结构的实验数据与仿真结果进行了对比,验证了模型的正确
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。
https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28
术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
