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InN材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，InN是性能优良的半导体材料。InN的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
gan、aln、InN及其合金等材，是作为新材料的gan系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展gan基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于InN和gan相分离而形成的富in类量子点结构，主导着ingan基发光二极管发光波长，体现了ingan基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
