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附件为《创新性光源-InGaN基LED芯片技术研究与展望》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150615/130157.htm2015/6/15 16:53:41
本文档为台湾新世纪InGaN LED chips (10×10) LED芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
本文档为台湾新世纪InGaN LED chips (14×14) LED芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
结果表明：InGaN基白光LED蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。
https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装LED芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
在si衬底上生长了gan基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板gan基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
目前应用于蓝光LED、dvd雷射上的InGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的LED材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
本文为台湾新世纪InGaN LED chips (12×12) LED芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
