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lp-mocvd生长InGaNInGaN/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长InGaN材料和InGaN/gan量子阱结构材料。研究发现,InGaN材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

新世纪光电InGaN led chips (10×10) 规格说明书

本文档为台湾新世纪InGaN led chips (10×10) led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47

tdi用hvpe法制造出高品质InGaN

质的InGaN,并首次使用这一材料制造出最高品质的蓝、绿光led,实现着一个又一个的第一

  https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00

新世纪光电InGaN led chips (14×14) 规格说明书

本文档为台湾新世纪InGaN led chips (14×14) led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58

InGaN缺陷障碍 积极应用不均匀的结晶结构

目前应用于蓝光led、dvd雷射上的InGaN,因为没有适合结晶的基板,所以与gaas等传统的led材料相比,存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题,例如不完全结晶、有缺损等

  https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00

InGaN基白光led光谱特征和结温相关性研究

结果表明:InGaN基白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54

新世纪光电InGaN led chips (12×12)产品规格书

本文为台湾新世纪InGaN led chips (12×12) led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26

【led术语】压电电场(piezoelectric fields)

根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以InGaN等gan类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38

蓝紫光InGaN多量子阱激光器

在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

稀土发光材料在固体白光led照明中的应用

固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把InGaN半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外

  https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59

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