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本文从缩小国际水平差距和节省电能两方面,谈论在我国发展InGaAlP红光led的必要性和紧迫性，希望得到政府有
https://www.alighting.cn/resource/2007829/V12753.htm2007/8/29 13:53:19
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
