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AlGaInP四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP led出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率，对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127306.htm2011/8/16 11:59:32
采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同al组分(alxga1-x)0.5in0.5p的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光led进行表面粗化的方法。通过向粗化层gainp加入适
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
采用有限体积数值模拟、瞬态热阻测试方法及热沉温度-峰值波长变化的关系，对三种散热基板上大功率AlGaInP 红光发光二极管进行热特性分析。三种led采用相同型号、规格、散热基
https://www.alighting.cn/2014/6/4 17:55:50
这些发光效率超越传统荧光灯、白热灯泡的led已经陆续商品化，同时还持续拓展市场规模与应用领域。接着本文要深入探讨广泛应用在各种领域的4元系AlGaInP红光led芯片，高辉度技术
https://www.alighting.cn/2011/11/11 10:39:48
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指AlGaInP的红、橙、黄色led，gan基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm AlGaInP基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
采用恒定驱动电流改变环境温度和恒定环境温度改变驱动电流两种方法分别对直径5mm封装的AlGaInP型红光和黄光led,ingan型绿光和蓝光led,以及ingan蓝光+荧光粉的白
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127090.htm2011/9/23 10:06:34
本文主要阐述了AlGaInP led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
