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晶能光电(江西)有限公司

总部地址: 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

主营业务: 硅衬底LED芯片及器件

晶能光电有限公司是由金沙江、淡马锡等多家著名的投资机构共同投资,专门从事LED外延材料与芯片生产的高科技企业,目前注册资金2亿美元。 晶能光电拥有的硅衬底氮化镓基LED材料与器件技术是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,迄今为止已申请或获得国际国内各种专利230多项。国家863专家组对此项技术的评价是:“……打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面,形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。” 晶能光电目前拥有21台MOCVD设备,总投资已超过10亿元。目前主营的产品包括大中小功率硅衬底LED芯片。

硅衬底LED芯片及器件

王敏

www.latticepower.com

江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

晶能光电突破在硅衬底上生长氮化镓基LED材料的世界性难题,并且在全球率先实现硅衬底LED技术的产业化。公司2009年量产,2012年在全球率先实现硅衬底大功率LED芯片的大规模量产,在全球LED业内引起了很大的反响,因此入选国际半导体照明联盟(ISA)的“全球半导体照明2012年度新闻”事件。 围绕硅衬底LED技术,以晶能光电为龙头,已形成12家企业的产业集群,覆盖LED全产业链。 引进美国和韩国科学家十多人,其中三人入选中组部“千人计划”,打造了一个具有国际化创新思维的团队。团队承担了9项国家863计划、6项电子发展基金项目、以及2项国家重大产业化项目。

2008年度和2009年度 荣获 “中国LED技术创新奖”; 2010年-2012年连续三年被全球清洁技术集团和英国卫报共同评为“全球清洁技术100强企业”; 2011年2月,公司被麻省理工学院《科技创业》杂志评为“2011年世界最具创新力公司50强”; 2012年12月,晶能光电“硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技术”获得国家工信部的信息产业重大技术发明奖; 2012年12月,晶能光电“硅衬底大功率LED芯片量产”被国际半导体联盟ISA评为“2012年度新闻事件”; 2013年4月,“GaN-On-Si LED外延芯片制备技术/硅基大功率蓝光芯片”获得2012中国LED创新产品和技术奖; 2014年6月,硅衬底GaN基大功率LED芯片荣获“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品;