9月26日，华灿光电在深圳前海万豪酒店举行新Mini LED新品发布会暨微显示战略合作签约仪式，发布了新一代Mini LED芯片产品，并且介绍了华灿光电在微显示领域的技术进展以及未来的技术布局。

　　发布会现场

　　华灿光电董事长俞信华

　　根据LEDinside最新数据，当下，随着小间距显示市场的飞速发展以及对显示技术要求越来越高，Mini LED和Micro LED技术在显示领域的优势引起业内持续关注。Mini LED显示将应用于电视、手机、车载显示、数字显示(商业广告与显示等)，预估2025年市场规模为10.7亿美金。2023年，预期采用Mini LED背光的TV背板市值将达到82亿美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。

　　作为国内行业规模第二的LED芯片企业，华灿光电一直以来关注并钻研LED外延片及芯片技术的发展趋势，对Mini LED和Micro LED技术很早就进行了布局，并取得了实质性进展。

　　此次，华灿光电发布了背光用Mini LED芯片及Mini RGB LED芯片新品。

　　RGB Mini LED芯片技术优化方面，华灿设计了高可靠性、高亮度的DBR倒装芯片结构。通过优化PV和Mesa刻蚀工艺，使金属连接层平滑覆盖;优化了电极结构和金属沉积工艺，设计出高可靠性的电极;并且，通过特有的混编技术，可以消除COB应用情况下的Mura效应。此外，随着芯片尺寸的持续减小，免锡膏封装芯片方案将成为提高良率、降低成本的关键，对此华灿光电已实现了将锡球直接制作在Mini LED芯片电极上的技术应用。在红光Mini LED芯片技术方面，华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺;并设计了顶伤防护层，优化材料沉积工艺，增强膜质，保证无外延顶伤风险。在背光Mini LED芯片技术方面，华灿优化了膜层结构设计，调节芯片出光，更易实现超薄设计。

　　外延材料、芯片工艺、巨量转移的良率将极大影响Micro LED的制造成本和修复成本，从而决定Micro LED在不同终端上的应用。在Micro LED外延技术方面，波长均匀性提升、particle控制以及更大尺寸外延片生产等方面取得了较大的进展，目前所获得的大尺寸外延片具有业界领先的波长均匀性和较低的表面缺陷密度，为实现更有成本竞争力的Micro LED显示技术打下了良好的基础。在Micro LED芯片技术方面，华灿在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术(批量芯片转移)、阵列键合技术(阵列转移键合)、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。目前所获得的的芯片良率可以达到5个9的水平，红光Micro LED效率也到达了国际领先水平，并针对不同转移方式，可以提供多种形式的Micro LED样品。

　　据介绍，华灿光电Mini RGB芯片早已批量出货，并以高稳定性能获得客户好评，当前阶段5*10为量产主力，Q4量产4*8，3*6将在2020 Q1量产;Mini BLU产品也与终端客户进行战略合作，研发进度亦在稳步向前推进。在Micro LED技术方面，华灿光电在该领域的布局中也走在前面，和国内外重点客户的联合开发在稳步推进中。