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总投资约20亿元,中科潞安深紫外LED项目投产

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2019-05-31 作者: 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0
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摘要: 5月30日上午,中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式隆重举行。

  5月30日上午,中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式隆重举行。中国工程院院士赵沁平、陈良惠,中国科学院院士侯洵、顾瑛等出席。长治市委副书记、市长杨勤荣,中国科学院半导体研究所副所长杨富华,潞安集团总经理刘俊义,国家半导体照明工程研发与产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,国家半导体照明工程研发与产业联盟研发执行主席、中国科学院半导体研究所研究员、中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽分别为投产仪式致辞。

  仪式现场

  据介绍,中科潞安深紫外LED项目项目位于长治高新区漳泽新型工业园区,项目分两期建设,总投资约20亿元。其中:一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。项目建成后,将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区,市场前景广阔。

  中国科学院半导体研究所副所长杨富华致辞

  杨富华在致辞中表示,中科院半导体所团队在高铝组分氮化物材料和紫外器件领域拥有十余年的研究积累,2009年国内首次成功制备了300nm以下深紫外LED器件并实现毫瓦级输出,多年来技术指标一直引领国内研发水平。目前,国际上深紫外材料和芯片技术,主要集中在美、日、韩少数几个公司和机构中。在国际技术封锁的背景下,中科潞安紫外项目将以市场为导向、效益为中心,科技创新为动力,在材料生长、芯片制备等领域打破国际垄断,抢占紫外LED领域的制高点。

  潞安集团党委副书记、副董事长、总经理刘俊义致辞

  刘俊义表示,当前正值山西省深化国资国企改革的关键时期。推动国有资本向能源革命方向进军、向新兴产业方向集结,在公共服务领域优化,实现煤与非煤产业结构反转。中科潞安研究院的落成和深紫外LED芯片项目一期建成投产,是潞安贯彻新发展理念,推进能源革命和高质量发展,推动产业结构转型升级的重大举措,将努力把中科潞安研究院打造成为国家级创新平台,也会力争把长治打造成全国乃至全球深紫外LED产业集聚区,为山西省高质量转型发展闯出一条新路。

  第三代半导体产业创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲致辞

  吴玲表示,紫外LED作为高附加值和高成长空间的新方向,正在受到国内外学界和产业界的广泛关注和积极部署。深紫外LED具有明显的技术引领市场的特点——在全球范围内都具有“边研发、边生产”的特质。未来紫外LED的产业化进程要与技术研发紧密结合,通过不断技术升级,保证持久的市场竞争力。希望未来中科潞安的深紫外LED生产和研究院能够持续发挥中科院半导体所的人力资源和技术优势,引领紫外LED技术创新,突破应用关键技术,加速产业化进程,建成开放的创新平台,吸引全国乃至全球紫外LED创新资源集聚。

长治市委副书记、市长杨勤荣出席并致辞

  杨勤荣在致辞中说,此次活动对进一步发展壮大长治LED产业集群、推动全市高质量发展具有重大意义。近年来,我市按照建设资源型经济转型发展示范区的具体要求,围绕打造国家级半导体光电产业集群,谋划实施了一批重大产业项目,初步形成了以中科潞安深紫外、高科华烨LED为龙头,集蓝宝石衬底、LED外延及芯片、LED封装、照明灯具等于一体的LED产业链条。2018年,我市LED产值占到全省的95%,龙头企业生产规模在全国同行业中排名前三。在未来几年内,长治一定能够建成以半导体深紫外产品为核心、布局下游产品的百亿元以上深紫外产业集聚区,成为全国半导体产业发展的新高地。

  山西省半导体产业联盟揭牌仪式

  国家半导体照明工程研发及产业联盟研发执行主席、中国科学院半导体研究所研究员、中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽

  李晋闽表示,深紫外LED产业作为LED行业的新增长点,正在迎来高速发展的时期,未来将会发展成为新的千亿乃至万亿产业。今天的投产仪式,标志着深紫外LED项目进入到一个新的阶段。未来随着设计的年产3000万颗深紫外LED的产能逐步释放至满产,我们将启动更大规模的亿颗深紫外LED芯片的二期建设,逐步规划对接资本市场。同时与产业链上下游企业友商加强合作,共同建设长治市深紫外LED产业集群。

 投产仪式

  随后,市委副书记、市长杨勤荣,副市长尚日红,高新区管委会主任张志刚,潞安集团副总经理唐军华,中国科学院半导体研究所副所长杨富华,中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽,中科潞安半导体技术研究院有限公司董事长贾和平捧起金灿灿的鎏金沙,标志着中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产全面启动。

  基于AIGaN材料的深紫外LED,具有直流驱动、工作电压低、便于携带、无污染、长寿命等优点,在杀菌、水资源净化、生物医疗、光通信等领域具有广阔应用潜力和巨大经济效益。随着国际《水俣公约》的提出,深紫外LED全面替代汞灯更是迫在眉睫,紫外光源未来会形成万亿量级的巨大市场。

  中国工程院院士赵沁平、陈良惠,中国科学院院士侯洵、顾瑛等与会嘉宾参观中科潞安展厅和芯片生产线

  据了解,潞安集团是省属国有重点企业集团之一,是世界500强企业。深紫外LED是潞安重点培育的高新技术产业,在深紫外LED领域,潞安集团与中科院半导体所、长治市人民政府“三方共建”,成功搭建了“开发设计”和“产业化推广”两大平台。中科潞安半导体产业技术研究院作为高端创新平台,未来将实现前沿半导体技术研究攻关、高端应用产品开发设计、对外检验检测、行业标准制定及成果转化孵化“五大职能”。在深紫外LED芯片一期工程项目达产达效的基础上,将加快推进二期年产3亿颗深紫外LED外延芯片生产线建设,适时启动长治紫外光电产业园区建设。

  资料显示,长治市半导体光电产业从2009年开始起步,经过近10年的发展,目前已形成从蓝宝石衬底、外延及芯片、封装到显示屏、照明灯具的垂直一体化产业链,初步构筑起以高科华烨集团和中科潞安紫外光电科技有限公司为龙头的半导体光电产业集群,集群内现有相关企业15家,其中规模以上企业5家,高科华烨集团LED产值占到全省的95%,位居全国同行业前三。在此基础上,长治立足科技发展前沿,围绕国家半导体产业发展重大战略需求,在全国范围内率先布局规划深紫外LED。今年长治市全力推进中科潞安深紫外LED二期、外延、封装等项目,完善产业链条。中科潞安深紫外LED项目的投产标志着长治深紫外LED产业发展迈出了重要一步,为将长治打造成为全国乃至全球深紫外LED产业集聚区奠定了坚实的基础。


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