晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”
摘要： 在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上，晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖，是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。
在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上，晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖，是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。
硅衬底GaN基大功率LED芯片是全球唯一一款用GaN-on-Silicon技术设计的垂直结构大功率LED芯片产品，创新性地采用硅代替传统的蓝宝石和碳化硅作为生长衬底，从源头上避开了国外大厂的专利壁垒。同时，由于运用了“通孔Via”技术，消除了一般垂直结构LED芯片容易存在的电流拥堵现象，因此可以缓解Droop效应，同时克服传统垂直结构芯片中量子阱发光向芯片外部的发光受到N电极阻挡的痼疾，提高光效。目前，硅衬底GaN基大功率LED芯片封装后光效可达150lm/W，可广泛用于LED路灯、LED隧道灯、LED手机闪光灯、LED筒灯、射灯、Par灯、矿灯、头灯、高端手电等领域。
阿拉丁神灯奖是一场国际化的评选，旨在对年度全球照明产业绿色、节能、新技术的创新产品，光技术与艺术完美结合的杰出工程作品，以及为照明产业的发展孜孜以求的卓越人士予以嘉奖。此次硅衬底GaN基大功率LED芯片摘得LED行业最高荣誉的阿拉丁神灯奖，是业内对硅衬底GaN基LED技术的高度肯定，更是对硅衬底GaN基LED芯片“中国芯”怀揣“中国梦”呈现“中国照明”的最高褒奖。
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