2012年8月30日——爱思强股份有限公司今天宣布，昭和电工(日本，秩父)在其现有爱思强设备基础上，增购一套热壁碳化硅化学气相沉积行星式反应器。该化学气相沉积(CVD)系统可同时处理10片100mm晶圆或6片150mm晶圆，将被应用于针对一系列电力电子应用及元件类型(例如太阳能发电模块、交直流转换及工业电机控制的逆变器系统)在碳化硅(SiC)基底上生长同质外延材料。

　　通过新系统的应用，昭和电工将可提高现有直径为100mm晶圆的产量，并可拓展至更大直径的150mm碳化硅晶圆的生产，该种晶圆目前已可从半导体材料供应商处购得。实现对更大晶圆的生产将可在降低成本的同时提高市场接受度。

　　爱思强股份有限公司副总裁兼电力电子项目经理Frank Wischmeyer博士评价道：“爱思强系统的设计是为了通过减少衬底边缘排除区(wafer edge exclusion zone)，提高更大直径基底的单片晶圆使用率，从而进一步推动规模经济效益。碳化硅在这类应用的魅力源于其独特的材质，例如高临界电场强度，允许高击穿电压以及低导通电阻。碳化硅在电力应用方面的更大优势在于其导热性高和耐热强度大。”

　　爱思强为这套最先进的生产系统平台开发出一个特别反应室，可承受碳化硅晶圆外延过程最高所需达到的1650°C高温。在外延过程中，爱思强系统每批所处理的6片150 mm晶圆会各自进行“行星式”自转，展现技术最先进的均匀性和可重复性。

　　昭和电工之所以选择爱思强热壁碳化硅化学气相沉积行星式系统，是为了借助爱思强在此方面的丰富经验与专业技术，同时通过具成本效益的150mm碳化硅晶圆拓展其业务范围。该公司看到碳化硅相关产品在消费电子市场迅速产生的机遇，以及其未来在铁路动力处理与自动化市场中的广阔前景。2008年底，昭和电工向Esicat – Japan LLP(日本产业技术综合研究所(AIST)、日本电力中央研究所(CRIEPI)以及昭和电工的一家合资公司)收购碳化硅外延晶片业务。

　　文章来源：SEMI