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普瑞光电:固态照明矽基LED磊晶新技术

2011-03-29 作者:未知 来源:光电新闻网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 台积电旗下创投VTAF公司投资的美国LED大厂普瑞光电于3月25日宣布,该公司运用“氮化镓上矽”(GaN-On-Silicon)的LED技术,已达成每瓦135流明之效能。这代表普瑞光电在矽半导体基板LED技术方面,已成为业界第1家达到商品化等级效能的厂商。

  普瑞光电指出,转向矽基板的技术突破,将为LED产业带来革命性的进展。该公司并有信心成为导入、运用此技术的领导厂商。根据普瑞光电研究,氮化镓上矽 LED的效能,足以媲美12至24个月前推出的顶级蓝宝石基板LED。预估未来2至3年内,应用于商业市场的氮化镓上矽LED产品,就能上市销售。

  目前LED磊晶生成大多系采用蓝宝石基板或碳化矽基板材料。但大直径的蓝宝石基板与碳化矽基板成本较高,并且加工困难,货源亦不易取得,导致以蓝宝石基板和碳化矽基板生产的LED照明产品,迄今尚无法普及到住宅与商业建筑等领域。

  不过,普瑞光电认为,若能在直径更大、成本较低廉的矽晶圆上生成氮化镓,并采用与现代半导体生产线相容的制程,则LED磊晶产品之成本,可望将较现有制程有效降低75%。

  这次普瑞光电运用氮化镓上矽(GaN-On-Silicon)LED技术达成每瓦135流明之效能,是采用350mA电流的1.5mmLED,其相对色温CCT为4730K。这些LED只需要极低的运作电压、2.90伏特,就可以在350mA环境下运作。若在1安培电流下,更仅需小于3.25伏特的电压。

  由于这些元件具备极低的顺向电压,及优异的热阻特性,因此适用于各种高效能的照明及应用。而优化的磊晶制程针对8吋矽晶圆,将使LED的制程能相容于现行的自动半导体生产线。

  普瑞光电采用轻资产营运模式,主要系运用本身在LED磊晶领域的研发既入基础与智慧财产资源,和伙伴厂商合作生产各种矽基LED。为了扩大量产新技术LED,公司目前正和多家著名半导体厂商洽谈,计画将运用全球各地已折旧的8吋晶圆厂及其制程,来生产LED。

  普瑞光电执行长Bill Watkins表示,矽基LED技术将可大幅降低固态照明的成本结构,为固态照明领域厂商省下大笔的初期投资资金。预期只需2到3年内,即使是对价格最敏感的市场,例如商务与办公室照明、住宅应用以及换新灯具等,都将极快速地转型成固态照明产品。

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