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全新年底再增10台MOCVD 明年产能增5成

2010-10-28 作者: 来源:精实新闻 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 砷化镓磊晶厂全新(2455)迎向砷化镓产业传统旺季,在手机品牌大厂纷纷看好对砷化镓组件的料件需求、且砷化镓组件大厂TriQuintSemiconductorInc.接连调升第三、四季财测,全新已确定挥别第三季初客户库存调节、导致营收下滑的低潮。

  砷化镓磊晶厂全新(2455)迎向砷化镓产业传统旺季,在手机品牌大厂纷纷看好对砷化镓组件的料件需求、且砷化镓组件大厂TriQuintSemiconductorInc.接连调升第三、四季财测,全新已确定挥别第三季初客户库存调节、导致营收下滑的低潮。再加上全新用以生产砷化镓晶圆的有机化学气相沉积设备(MOCVD)今年扩充10台,将在年底前完成装机,总计32台,法人评估,预期全新明年产能将较今年大增5成,营收也可望向上攀升逾6成。

  全新今年7月受到客户端调节库存的影响,使得第三季单季营收季减20%,但全新表示,在第三季尾端,即感受到客户端下单的动能又再度开启,公司评估今年的营收低潮已经过去;另一方面,第四季随着传统购物节日的来临,产业对于搭载在消费性无线通信产品的砷化镓组件需求大增,因此全新看好第四季的营运状况。

  在全新的产销结构上,前2大客户稳懋(3105)与TriQuint即占营收比重逾9成,而今年TriQuint陆续调升三、四季的单季财测,因此市场普遍认为,全新第四季的营收状况也值得期待。

  在新产能方面,有别于传统pHEMT磊晶圆以MBE制程生产,全新此次装机的MOCVD设备,是以气相沉积方式生产pHEMT;在明年第二季完全投产后,pHEMT将占全新产品结构约20%(目前为10%),而HBT比重则略减至80%(目前为9成)。

  以全新在砷化镓磊芯片的全球市占率逾1成来看,在32台MOCVD机台持续投产的状况下,全新与目前市占率第一名的Kopin(约30%)、与第二名IQE(20%)的差距正持续缩小,明年市占率即有机会挑战20%,与IQE平起平坐。

  此外,全新已发展出BiHEMT(异质接面双载子暨假晶高速电子移动晶体管)技术,成功整合pHEMT与HBT两种砷化镓晶体,突破了砷化镓晶圆随不同应用领域须以不同制程生产的限制,由于体积小、设计灵活度高的特性,BiHEMT未来可望成为砷化镓产业的主流技术,而全新即是该技术的领先者。

  由于砷化镓半导体高频、高效率的物理特性,近年受到行动通讯产品的规格提升,3G手机、智能型手机及802.11n等行动通讯产品渗透率逐渐提高,产业对砷化镓组件的需求亦日增。

  举例而言,一支2G手机仅需搭载1-2颗的砷化镓功率放大器(PA),然而包含WiFi功能的3.5G手机,则可能需要搭载到6-8颗;以日前研究机构预测的2011年全球手机出货量16.5亿支计算,对于砷化镓组件的需求即可能高达60亿颗以上,较今年提升约2成,市场规模相当惊人。

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