美国InPhenix新推840nm SLED
2009-01-14
作者：未知
来源：中国半导体照明网
浏览量：
网友评论：
0
条
摘要： 近日，美国Inphenix公司宣佈已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。
近日，美国Inphenix公司宣佈已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域。
这款840nm SLED扩展了Inphenix公司在750-1600nm波段的SLED产品线，增强了Inphenix的GaAs光学器件在OCT领域的应用表现。840nm波长SLED使用了独特的多重量子阱设计，使之具有功率大、带宽宽、以寿命长的特点，器件工作更稳定。目前，840nm SLED已经开始批量发货，可接受小批量和大批量订货。
关于InPhenix:
InPhenix公司是业界光电子器件及子系统的供应商，服务于电信，医学，工业和安防领域。该公司拥有国际顶级的独特的InP和GaAs生产技术，生产高性能和优成本光学设备和模块。InPhenix的产品包括了半导体光放大器(SOA)，超辐射发光二级管(SLED)，增益芯片，DFB激光器和FP激光器。(编辑：XGY)
凡本网注明“来源：阿拉丁照明网”的所有作品，版权均属于阿拉丁照明网，转载请注明。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
凡注明为其它来源的信息，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点及对其真实性负责。
最新评论
用户名： 密码：
